Міністерство освіти і науки України Національний університет „Львівська Політехніка” Кафедра електронних обчислювальних машин Звіт про виконання лабораторної роботи № 3 з курсу „Комп’ютерна електроніка” Тема: Дослідження включенння біполярного транзистора по схемі зі спільним емітером. Виконав: студент групи КІ-2 Львів – 2003 Мета: Реалізувати та дослідити включенння біполярного транзисторапо схемі із спільним емітером. Теоретичний вступ Біполярним транзистором називається електроперетворювальний напівпровідниковий пристрій, який має два p-n переходи і три виводи та призначений для підсилення потужності. При функціонуванні напівпровідникових тріодів використовуються носії обох полярностей (електрони і дирки), тому він називається біполярним. Біполярний напівпровідниковий транзистор являє собою систему n-p-n або p-n-p типу, яка зформована на одному монокристалі напівпровідника. В залежності від електрода транзистра, який вибраний спільним для вхідного та вихідного сигналів, використовуються три схеми включення транзистора в підсилювальному каскаді: із спільним емітером (режим СЕ) — підсилює струм, напругу і потужність; із спільною базою (режим СБ) — підсилює напругу і потужність; із спільним колектором (режим СК) — підсилює струм і потужність. Приблизні показники схем включення транзисторів приведені нижче в табл. 1. Порівнюючи каскади СБ та СК, можна бачити, що каскад СК дещо гірше підсилює, але має добру стабільність функціонування, а каскад СЕ підсилює найкраще, але має нестабільний режим роботи. Основні властивості схеми СЕ
Рис. 1. Транзисторний каскад із спільним емітером. Каскад СЕ підсилює струм:  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
, де β0 – коефіцієнт передачі для частоти f = 0; fβ – гранична частота, на якій модуль β зменшується в два рази. При цьому  EMBED Equation.3 
, тобто частотні властивості СЕ гірші, ніж каскаду СБ. Каскад СЕ підсилює напругу і потужність вхідного сигналу навіть при RВИХ = RВХ :  EMBED Equation.3 
, EMBED Equation.3 
 Каскад СЕ міняє полярність сигналу, що підсилюється, на протилежну. Режим спокою в каскаді СЕ не відзначається стабільністю, внаслідок того, що сильно залежить від впливу зовнішнього середовища на параметри транзистора. Вхідний опір становить:  EMBED Equation.3 
. Він практично сягає 1 кОм. Виконання роботи Відповідно до власного варіанта вибраємо початкові дані з табл. 2. Послідовність спрощенного розрахунку транзисторного каскаду СЕ із термостабілізацією
Рис. 2. Підсилювальний транзисторний каскад із термостабілізацією на основі npn-транзистора, який включений по схемі зі спільним емітером. Вихідна напруга при відсутності вхідної напруги:  EMBED Equation.3 
 Вихідний струм в режимі спокою:  EMBED Equation.3 
 Початковий струм бази:  EMBED Equation.3 
 Струм подільника напруги:  EMBED Equation.3 
 Розрахунковий коефіцієнт підсилення напруги:  EMBED Equation.3 
 Величина опору резистора зворотнього зв'язку:  EMBED Equation.3 
 Величина ємності шунтуючого конденсатора:  EMBED Equation.3 
 Для того, щоб забезпечити коефіцієнт підсилення напруги  EMBED Equation.3 
, експериментально підбираємо ємність конденсатора СE рівною 0,2 мкФ. Напруга початкового зміщення бази: якщо  EMBED Equation.3 
, то  EMBED Equation.3 
 Величини опорів подільника напруги R1 та R2, відповідно:  EMBED Equation.3 
. Вибираємо опір резистора R1 рівним 51 кОм.  EMBED Equation.3 
. Вибираємо опір резистора R2 рівним 2,4 кОм. Вхідний опір схеми СЕ із термостабілізацією. Якщо вхідний опір схеми СЕ:  EMBED Equation.3 
 і  EMBED Equation.3 
, то EMBED Equation.3 
 Величина ємності вхідного конденсатора:  EMBED Equation.3 
 Вибираємо ємність конденсатора СВХ рівною 1 мкФ. Величину ємності вихідного конденсатора розраховуємо за формулою:  EMBED Equation.3 
. Вибираємо ємність конденсатора СВИХ рівною 1 мкФ. Ко...